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3F/PIC快速反應(yīng)質(zhì)譜儀	3F/IDP?離子脫附分析質(zhì)譜儀
PIC是帶脈沖離子計(jì)數(shù)檢測(cè)器的3F質(zhì)譜儀，具有高靈敏度,，	Hiden ?IDP是三級(jí)過(guò)濾質(zhì)譜/能量分析儀,，用于研究ESD、PSD
快速測(cè)量的特點(diǎn),。	或UHV-TPD中釋放的低能量粒子,。是電子,、光子激發(fā)脫附
●?UHV TPD	研究中，進(jìn)行離子,、中性粒子,、自由基的質(zhì)量、能量
●?UHV TPD	分析的質(zhì)譜,。
●?表面科學(xué),，單晶格研究	分析的質(zhì)譜,。
●?表面科學(xué),，單晶格研究	●?釋出組分的快速質(zhì)量、能量監(jiān)測(cè)
●?分子束研究	●?釋出組分的快速質(zhì)量、能量監(jiān)測(cè)
●?光致解吸研究	●?選通輸入分析,，進(jìn)行瞬時(shí)/TOF?研究
特點(diǎn)：	●?用表觀勢(shì)能譜,，分析母體和自由基
●?質(zhì)量數(shù)：1～2500amu	●?ESD和PAS閾值,離子能量分布
●?脈沖離子計(jì)數(shù)器	●?正、負(fù)離子譜,，鍵角信息
●?增強(qiáng)的抗污染能力	●?泄漏探測(cè)/?實(shí)際泄漏分析/脫附研究
●?測(cè)量速度：500點(diǎn)/秒	●?4透鏡離子光學(xué)系統(tǒng)/電子轟擊離子源
●?動(dòng)態(tài)范圍：10^-7	?
●?信號(hào)選通1μs分辨率	?

3F/EPIC質(zhì)譜儀	IMP刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)儀
EPIC是帶脈沖離子計(jì)數(shù),、四極桿偏壓（Pulse Ion Counting and	IMP是自帶差式泵，簡(jiǎn)潔的二次離子質(zhì)譜儀,，適于分析離
Pole Bias Control）控制的3F質(zhì)譜儀,，用于高精密科學(xué)分析、	子刻蝕過(guò)程中的二次離子和中子,。是專(zhuān)業(yè)檢測(cè)刻蝕終點(diǎn)的
過(guò)程研究以及中性粒子,、自由基、離子的UHV分析,。	儀器,，用于離子刻蝕控制以及優(yōu)化工藝質(zhì)量。
●?中性粒子,、自由基,，正、負(fù)離子	●?終點(diǎn)分析
●?電子附著研究	●?靶污染檢測(cè)
●?表面科學(xué)	●?質(zhì)量控制/SPC
●?分子束研究	●?殘余氣體分析
●?UHV TPD	特點(diǎn)：
特點(diǎn)：	●?高靈敏度的?SIMS/MS,，帶脈沖離子計(jì)數(shù)檢測(cè)器
●?質(zhì)量數(shù)范圍可選至2500amu	●?三級(jí)過(guò)四極質(zhì)譜儀,，標(biāo)準(zhǔn)配置為300amu
●?離子能量分布掃描±100eV（1000eV可選）	●?離子光學(xué)器件，帶能量分析器和完整的離子源
●?當(dāng)分析能量（或質(zhì)量）分布變化與時(shí)間的關(guān)系,，或進(jìn)行	●?真空規(guī)提供過(guò)壓保護(hù)
TOF研究時(shí),，信號(hào)選通分辨率為1μs	●?穩(wěn)定性好：超過(guò)24h，峰高變化小于±0.5%
●?可升級(jí)至等離子體分析或SIMS分析儀	?

三級(jí)過(guò)濾四極質(zhì)譜儀